Flash-Speicher: SanDisk und Toshiba peilen 15 Nanometer an
Mit der Fertigung von 15-Nanometer-Chips für Flash-Speicher in SSDs und USB-Sticks wollen SanDisk und Toshiba noch 2014 beginnen. Die Preise für die Produktion sollen sich durch das Verfahren deutlich reduzieren.
Sowohl SanDisk als auch Toshiba wollen noch 2014 mit der Fertigung von NAND-Flash-Speichern im 15-Nanometer-Verfahren beginnen. Jeder Baustein soll 128 Gigabit, also 16 GByte fassen. Zentral ist zudem der Einsatz von Triple-Level-Cells (TLCs), bei denen drei Bit pro Zelle gespeichert werden. Die Speicher sind für SSDs und USB-Sticks gedacht.
Bisher kamen vor allem das 19-Nanometer-Verfahren und Multi-Level-Cells (MLCs) zum Einsatz. In MLCs werden zwei Bit pro Zelle gespeichert. SanDisk und Toshiba wollen neben der TLC-Variante die 15-Nanometer-Bausteine ebenfalls mit MLC anbieten. Durch die kleinere Ausführung passen mehr Chips auf einen Wafer, wodurch die Kosten für die Produktion sinken.
MLCs und TLCs haben gegenüber SLCs (Single-Level-Cells), die bloß ein Bit pro Zelle speichern, den Haken, dass sich die Anzahl der Lösch- und Schreibzyklen reduziert. Jedoch ist die Produktion insgesamt aufgrund der benötigten Fläche erheblich teurer. Im Enterprise-Bereich möchte SanDisk den Nachteil durch angepasste Controller und Firmware ausgleichen. (fo)
