Samsung startet Massenproduktion von NAND-Flash-Speicherchips mit 16 GBit Kapazität
Gegenüber den bisher erhältlichen MLC-Flashes mit 8 GBit haben sich nicht nur die Kapazität, sondern auch die Datentransferraten nahezu verdoppelt.
Wie geplant, hat Samsung Electronics noch vor dem Ende des ersten Quartals die Massenproduktion von 16-GBit-NAND-Speicherchips mit 51-Nanometer-Strukturen gestartet. Die neuen NAND-Flash-Chips speichern wie ihre 8-GBit-Vorgänger mehrere Informations-Bits pro Zelle (Multi-Level Cell, MLC), arbeiten allerdings mit einer Blockgröße von 4 KByte statt der zuvor bei MLC-Flashes üblichen 2 KByte; dank der größeren Page Size verdoppelt sich die Datentrasferrate nahezu: Laut Samsung sollen 30 MByte/s beim Lesen und 8 MByte/s beim Schreiben möglich sein.
Wichtig ist aber in erster Linie die höhere Kapazität des Chips, die nun theoretisch die Fertigung von Speicherkarten mit 32 GByte Kapazität erlaubt. Für eine 32-GByte-Karte sind 16 Flash-Dice mit jeweils 16 GBit – also 2 GByte – Kapazität nötig. (boi)
