Toshiba und WD steigern NAND-Speicherdichte
Flash Forward, das Gemeinschaftsunternehmen von Toshiba und WD zur Produktion von NAND-Flash, beginnt mit der Pilotfertigung von NAND-Chips mit 512 GBit Speicher in 64 Lagen. Auch Micron und Samsung arbeiten an dieser Technik.
Toshiba und WD produzieren seit Juli vergangenen Jahres BiCS3, die dritte Generation des hauseigenen 3D-Flash-Speichers mit 64 Lagen NAND-Flash. Bislang hatten die Chips jedoch lediglich 256 GBit Kapazität – nun aber will Flash Forward die Kapazität verdoppelt haben.
Derzeit laufen die Anlagen für die 512-GBit-Version noch im Pilotbetrieb, mit der Massenfertigung rechnen die Partner erst im zweiten Halbjahr. Seit Dezember liefern die Unternehmen jedoch bereits die 64-Lagen-Chips der ersten Generation aus. Weitere Details will WD am heutigen Tag auf der International Solid-State Circuits Conference vorstellen, die derzeit in San Francisco stattfindet.
Samsung und Micron ebenfalls mit 64 Lagen
Samsung wollte Ende 2016 bereits mit der Fertigung seiner 64-Lagen-Chips anfangen, noch aber scheinen die Koreaner noch mit technischen Schwierigkeiten zu kämpfen. Auch Samsung will damit eine Kapazität von 512 GBit erreichen.
Micron will bis Jahresende ebenfalls 3D-NAND mit 64 Lagen in die Serienproduktion bringen. Im Rahmen einer Analystenkonferenz stellte das Unternehmen einen Chip mit einer Kapazität von 256 GBit vor, der mit einer Gesamtfläche von 59 mm2 auskommen soll. Mit einer Kantenlänge von weniger als 8 mm wäre dieser besonders für den Einsatz in MicroSD-Karten geeignet. Vor allem aber soll durch die kleineren Dies die Ausbeute pro Wafer um etwa ein Viertel steigen. Welche Größe die 64-Lagen-Dies der anderen Hersteller besitzen, ist derzeit nicht bekannt – Micron reklamiert auf jeden Fall für sich, das kleinste zu haben. (ll)
