Kurz erklärt: Resistive Random Access Memory
Durchschlagskräftig
Ein Speicher so schnell wie heutiger Arbeitsspeicher und so dauerhaft wie Flash, auf dem man zudem rechnen kann: Das alles verspricht der in der Entwicklung befindliche ReRAM.
Lange wurde ReRAM als eine von vielen alternativen Speichertechniken gehandelt, inzwischen zählt es zu den wenigen verbliebenen Kandidaten. Anders als PCM (Phase-Change Memory) hat es aber auch das Zeug, SRAM (Static RAM) und DRAM (Dynamical RAM) zumindest in einigen Bereichen zu ersetzen.
Zudem lässt sich mit ReRAM-Zellen auch rechnen. Denn während heutige Speicherarten wie Flash, DRAM und SRAM ihre Bits durch das Halten einer Ladung speichern, arbeitet das nichtflüchtige ReRAM mit einer durch Spannung erzeugten Widerstandsänderung. Organisiert sind ReRAM-Zellen in Crossbar-Arrays. Zentraler Bestandteil jeder ReRAM-Zelle ist ein speicherfähiger Widerstand (1R), der zwischen zwei Elektroden angebracht ist. Er besteht beim ReRAM aus einem Dielektrikum, meist einem Oxid.